特許
J-GLOBAL ID：200903014838320100
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
綿貫 隆夫
, 堀米 和春
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-179783
公開番号（公開出願番号）：特開2008-010639
出願日： 2006年06月29日
公開日（公表日）： 2008年01月17日
要約：
【課題】半導体ウェハーをダイシングする際に端材が飛散するとダイシングブレードの破損、チッピングといったトラブルの原因となることから、そのような端材の飛散を防止することが可能で、かつダイシング工程を複雑化することを必要としないウェハーレベルCSP等の半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体ウェハー1の裏面の外周部2に、円周に沿った線状の溝部3を形成した後、前記半導体ウェハーの裏面にダイシングテープを貼り、前記半導体ウェハーをダイシングブレードによりダイシングする。ダイシングテープの粘着剤が線状の溝部に侵入し接着力が強化する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体ウェハーの裏面の外周部に、円周に沿った線状の溝部を形成した後、
前記半導体ウェハーの裏面にダイシングテープを貼り、
前記半導体ウェハーをダイシングブレードによりダイシングすること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (1件)
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半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-308025
出願人：株式会社ルネサステクノロジ, 日立東京エレクトロニクス株式会社
審査官引用 (3件)
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