固体内電子移動方法および固体内電子移動装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池田治幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-011089
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209430
出願日： 1997年01月24日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】所定の半導体層内において電子をそれまでよりも速やかに移動させることができる固体内電子移動方法を提供する。【解決手段】円偏光レーザ光20の入射によって第2半導体層16内に発生させられたスピン偏極電子は、第1半導体層14との間の格子定数差により発生した圧電効果により第2半導体層16内に形成された電界Ep によって表面18側へ向かって加速されることから、従来よりも速やかに移動させられる。このため、スピン偏極電子が第2半導体層16内に滞留するうちに、正孔との相互作用によるスピン反転が発生したり、或いは正孔との再結合により消滅したりすることが抑制され、上記第2半導体層16の表面から真空中へ放出される偏極電子線の十分な偏極率や量子効率が得られる。

請求項（抜粋）：

所定の半導体層内の電子を移動させるための固体内電子移動方法であって、前記所定の半導体層をそれとは格子定数が異なる半導体層に隣接して形成させることにより、該格子定数の差による歪みに基づいて該所定の半導体層内に圧電効果による電界を発生させ、該電界を利用して該所定の半導体層内の電子を加速することを特徴とする固体内電子移動方法。

IPC (3件)：

H01L 29/66 , H01L 29/06 , H01L 29/80

FI (3件)：

H01L 29/66 , H01L 29/06 , H01L 29/80 A

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