特許

J-GLOBAL ID：200903014843459109

基板処理装置

発明者： 高野 智 ,  高寺 浩之 ,  前田 育寛 ,  広地 志有
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (2件)： 和泉 良彦 ,  小林 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-192361
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039743
出願日： 2002年07月01日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：

【課題】反応室内壁に付着・堆積する膜厚量の情報をリアルタイムに測定し、クリーニング時期の検出を容易、かつ的確に行える手段を提供する。【解決手段】ウエハ(基板)2a、2bを反応室1内に収容した状態で所望のガスを供給し、所望の処理を行う基板処理装置において、反応室1内の所定部位の温度を監視する温度測定手段(温度計測用熱電対11)と、温度測定手段から得た温度情報に基づき、反応室1内の所定部位に堆積した付着物の膜厚量を検出する制御部とを、備えた基板処理装置とするものであって、反応室1の内壁に付着・堆積した膜厚量に起因する反応室の壁温度の変化量を測定し、壁温度の変化量から反応室1内に付着・堆積した付着物の膜厚量を求め、この膜厚量と、あらかじめ設定された膜厚量の限界値とを比較して、膜厚量が膜厚量の限界値に到達した時点を反応室のクリーニング時期とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板を反応室内に収容した状態で所望のガスを供給し、所望の処理を行う基板処理装置において、 上記反応室内の所定部位の温度を監視する温度測定手段と、 上記温度測定手段から得た温度情報に基づき、上記反応室内の所定部位に付着した堆積物の膜厚量を検出する制御部とを、備えたことを特徴とする基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L21/31 ,  C23C16/44

FI (2件)：

H01L21/31 B ,  C23C16/44 J

Fターム (19件)：

4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030BA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BA42 ,  4K030CA04 ,  4K030DA06 ,  4K030HA17 ,  4K030JA01 ,  4K030JA10 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  5F045BB15 ,  5F045DP02 ,  5F045DP11 ,  5F045EB02 ,  5F045EB06 ,  5F045GB05 ,  5F045GB16