特許

J-GLOBAL ID：200903014848734116

LPE法による磁性ガーネット単結晶の製造方法

発明者： 河合 博貴 ,  梅澤 浩光
出願人/特許権者： 富士電気化学株式会社
代理人 (1件)： 茂見 穰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-234741
公開番号（公開出願番号）：特開平9-059093
出願日： 1995年08月21日
公開日（公表日）： 1997年03月04日
要約：

【要約】【課題】 NdBi系の磁性ガーネット単結晶を、LPE法によって歩留りよく非磁性ガーネット基板上に育成する。【解決手段】 基板の厚さtが、200μm≦t≦450μmである非磁性ガーネット基板を使用し、その基板上にLPE法によってNdBi系の磁性ガーネット単結晶を育成する。例えば非磁性ガーネット基板としてGd3-y Ndy Sc2Ga3 O12(但し、1.0≦y≦1.4)を用い、育成する磁性ガーネット単結晶はNd3-x Bix Fe5 O12(但し、0.5≦x≦1.9)なる組成を有するものが望ましい。

請求項（抜粋）：

非磁性ガーネット基板上に、LPE法によってNdBi系の磁性ガーネット単結晶を育成する方法において、使用する前記基板の厚さtを、200μm≦t≦450μmとすることを特徴とするLPE法による磁性ガーネット単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/28 ,  C30B 19/12 ,  G02F 1/09 501

FI (3件)：

C30B 29/28 ,  C30B 19/12 ,  G02F 1/09 501