過熱保護装置及びこれを用いた半導体スイッチ装置並びにインテリジェントパワーモジュール

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：瀧野秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-111233
公開番号（公開出願番号）：特開平10-309032
出願日： 1997年04月28日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：

【要約】【課題】駆動回路(パワーMOSFET)の過熱状態が解消された場合には、遮断制御状態の即時解除又は電力制限制御状態の即時解除を実行できる過熱保護装置10及びこれを用いた半導体スイッチ装置40並びにインテリジェントパワーモジュール30を提供することを課題とする。【解決手段】負荷32を駆動する駆動回路の活性状態を監視し活性状態時において駆動回路の過熱状態を検出した際に活性状態を解除して負荷32の駆動を制限又は遮断すると共に電力制限制御状態又は遮断状態を保持し、所定周期を有するタイミング信号102bに同期して過熱状態を監視し監視時において過熱状態の解消を検出した際に電力制限制御状態又は遮断状態を解消するためのゲート制御信号108aを生成するように構成されている。

請求項（抜粋）：

負荷を駆動する駆動回路の活性状態を監視し当該活性状態時において当該駆動回路の過熱状態を検出した際に当該活性状態を解除して負荷への電力供給を制限すると共に当該電力制限制御状態を保持し、所定周期を有するタイミング信号に同期して当該過熱状態を監視し当該監視時において当該過熱状態の解消を検出した際に当該電力制限制御状態を解消するためのゲート制御信号を生成するように構成されている、ことを特徴とする過熱保護装置。

IPC (3件)：

H02H 5/04 , H02M 3/00 , H03K 17/08

FI (3件)：

H02H 5/04 Z , H02M 3/00 S , H03K 17/08 C

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