特許

J-GLOBAL ID：200903014861205548

Siドープn型ガリウム砒素単結晶の製造方法

発明者： 鳥羽 隆一
出願人/特許権者： 同和鉱業株式会社
代理人 (1件)： 阿仁屋 節雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-012339
公開番号（公開出願番号）：特開平6-219900
出願日： 1993年01月28日
公開日（公表日）： 1994年08月09日
要約：

【要約】【目的】 高いドーピング効率と液体封止剤汚染の少ない良質な単結晶を作る。【構成】 GaAs融液1を入れたルツボ2と、ルツボ2の周囲に設けられルツボ2内のGaAs融液1の温度を調整するヒータ4と、GaAs融液1の分解を防止するためにその上側面を覆って配設される液体封止剤としての酸化ホウ素7とを有して行なうSiドープn型ガリウム砒素単結晶の製造方法である。前記GaAs融液1と酸化ホウ素7との間に、互いの接触を抑える隔離材8を設ける。この装置を用い、GaAs融液1と酸化ホウ素7との互いの接触を抑え、これらの間での酸化還元反応を抑制してGaAs単結晶を成長させる。これにより、酸化ホウ素7による汚染を低減し、ドーピング効率を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

容器内に原料融液を入れ、この原料融液の分解を防止するために原料融液の上側面を液体封止剤で覆って結晶を成長させるSiドープn型ガリウム砒素単結晶の製造方法において、前記原料融液と液体封止剤との間に隔離材を設け、互いの接触を抑えて結晶を成長させることを特徴とするSiドープn型ガリウム砒素単結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/42 ,  C30B 11/00 ,  C30B 27/00 ,  H01L 21/208

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特公昭59-012638
  
• 特開昭64-016428