特許

J-GLOBAL ID：200903014864006546

ドーピングされたバリア金属層を備えるアンチヒューズ

発明者： カーポビッチ,ヤコブ
出願人/特許権者： クロスポイント・ソルーションズ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-514472
公開番号（公開出願番号）：特表平9-505445
出願日： 1994年11月02日
公開日（公表日）： 1997年05月27日
要約：

【要約】半導体基板上に絶縁層を有する集積回路においてアンチヒューズを形成する方法が提供される。この方法は、絶縁層上に第1の金属相互接続層を形成するステップと、第1の金属相互接続層上に第1のバリア金属層を形成するステップと、第1のバリア金属層上にアモルファスシリコン層を形成するステップと、アモルファスシリコン層上に別のバリア金属層を形成するステップと、第2のバリア金属層上に第2の金属相互接続層を形成するステップとを含む。バリア金属形成ステップの少なくとも1つにおいて、このバリア金属は、ドーパントなどの半導体ドーパントを含むバリア金属ターゲットをスパッタリングすることによって形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁層を有する集積回路においてアンチヒューズを形成する方法であって、 前記絶縁層上に第1の金属相互接続層を形成するステップと、 前記第1の金属相互接続層上に第1のバリア金属層を形成するステップと、 前記第1のバリア金属層上に半導体プログラミング層を形成するステップと、 前記アモルファスシリコン層上に第2のバリア金属層を形成するステップと、 前記第2のバリア金属層上に第2の金属相互接続層を形成するステップとを備え、 前記バリア金属形成ステップのうち少なくとも1つにおいて、前記バリア金属は、バリア金属ターゲットをスパッタリングすることによって形成され、前記ターゲットは半導体ドーパントを含む、方法。

IPC (2件)：

H01L 21/82 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/82 F ,  H01L 21/88 Z