特許

J-GLOBAL ID：200903014864976421

半導体集積回路

発明者： 長瀬 功一
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-245339
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106520
出願日： 1993年09月30日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】 通常の定格以上の電圧が入力される場合(例えば、3.3V動作で6.5V入力)でも、入力後のゲートに係る電界を低下させ、信頼性を向上させることを目的とする。【構成】 この実施例1における半導体集積回路は、入力初段の基板電位をVBB(〜-3V)からグランド電位VSS(0V)に変更することにより、ゲート電界を低減している。

請求項（抜粋）：

基板電位をグランド電位に固定したn型トランジスタを有する入力端子回路を備えたことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H03K 19/003 ,  H03K 19/0948

FI (2件)：

H01L 27/04 G ,  H03K 19/094 B