特許

J-GLOBAL ID：200903014866658346

半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法

発明者： 斎藤 賢治
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 弘男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-299013
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130892
出願日： 1993年11月02日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】 製造工程を増やしたり不要なシリコン窒化膜を残すことなく、メモリセル部と周辺回路部とを分離するフィールド酸化膜上の溝の発生を防ぎ、歩留りを向上した半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法を提供すること。【構成】 P型シリコン基板1のフィールド酸化膜上にポリシリコン8が残存するように製造することによりフィールド酸化膜状に溝が生じるのを防ぐことができ、フィールド酸化膜上に設けたポリシリコン8をグランド電位に固定すれば、メモリセル部と周辺回路部とを分離する分離特性が向上する。

請求項（抜粋）：

スタックゲート型MOSトランジスタから成るメモリセル部とMOSトランジスタから成る周辺回路部との境界にフィールド酸化膜を設けて前記メモリセル部と前記周辺回路部とを分離した半導体不揮発性記憶装置において、前記フィールド酸化膜上にポリシリコンを設けたことを特徴とする半導体不揮発性記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434