特許
J-GLOBAL ID：200903014867504962
液晶デバイスウエーハのレーザー加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小野 尚純
, 奥貫 佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-232838
公開番号（公開出願番号）：特開2007-045675
出願日： 2005年08月11日
公開日（公表日）： 2007年02月22日
要約：
【課題】液晶デバイスウエーハを構成するシリコン基板とガラス基板の内部に所定のストリートに沿って効率よく変質層を形成することができる液晶デバイスウエーハのレーザー加工方法を提供する。【解決手段】シリコン基板とガラス基板が積層して形成されている液晶デバイスウエーハのレーザー加工方法であって、シリコン基板に対して透過性を有するとともにシリコン基板の内部に変質層を形成することができる波長のレーザー光線を、ガラス基板側からシリコン基板の内部に集光点を位置付けてストリートに沿って変質層を形成する第1の変質層形成工程と、ガラス基板に対して透過性を有するとともにガラス基板の内部に変質層を形成することができる波長のレーザー光線を、ガラス基板の内部に集光点を位置付けてストリートに沿って変質層を形成する第2の変質層形成工程とを含む。【選択図】図10
請求項（抜粋）：
シリコン基板とガラス基板が積層して形成され外面に格子状に配列されたストリートによって区画された矩形領域の各々に、該シリコン基板と該ガラス基板との間に液晶室が形成されているととも該液晶室と連通する液晶注入口が設けられており、該シリコン基板には該液晶室に隣接して複数の駆動用電極が配設されている液晶デバイスウエーハのレーザー加工方法であって、
シリコン基板に対して透過性を有するとともにシリコン基板の内部に変質層を形成することができる波長のレーザー光線を、ガラス基板側からシリコン基板の内部に集光点を位置付けてストリートに沿って照射することにより、シリコン基板の内部にストリートに沿って変質層を形成する第1の変質層形成工程と、
ガラス基板に対して透過性を有するとともにガラス基板の内部に変質層を形成することができる波長のレーザー光線を、ガラス基板の内部に集光点を位置付けてストリートに沿って照射することにより、ガラス基板の内部にストリートに沿って変質層を形成する第2の変質層形成工程と、を含む、
ことを特徴とする液晶デバイスウエーハのレーザー加工方法。
IPC (4件)：
C03B 33/09
, B28D 5/00
, H01L 21/301
, B23K 26/40
C03B33/09
, B28D5/00 Z
, H01L21/78 B
, B23K26/40
3C069AA03
, 3C069BA08
, 3C069BB03
, 3C069BC07
, 3C069CA05
, 3C069CA11
, 3C069CB05
, 3C069EA02
, 4E068AD01
, 4E068DA10
, 4G015FA03
, 4G015FA06
, 4G015FB01
, 4G015FC02
