特許
J-GLOBAL ID:200903014870831648
ポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物及びレジスト像の製造法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
高田 幸彦 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-007091
公開番号(公開出願番号):特開2002-214766
出願日: 2001年01月15日
公開日(公表日): 2002年07月31日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】高感度、高解像度でパターン形状に優れ、かつ、プロセス安定性に優れるポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物及び解像度の良好なレジストパターンを現出できるレジスト像の製造法を提供する。【解決手段】(a)分子内に酸触媒反応によりアルカリ水溶液に対する溶解性が増加する酸分解性基を有し、かつ、酸触媒反応により分子量が低下する化合物、(b)活性化学線照射により酸を生じる化合物及び(c)一般式(1)で示されるイオン解離性の化合物又は、一般式(2)で示されるイオン解離性の化合物又は、一般式(3)で示されるイオン解離性の化合物を含有することを特徴とするポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物及び前記の感光性樹脂組成物を用いて塗膜を形成し、該塗膜に活性化学線で照射し、次いで現像するレジスト像の製造法。
請求項(抜粋):
(a)分子内に酸触媒反応によりアルカリ水溶液に対する溶解性が増加する酸分解性基を有し、かつ、酸触媒反応により分子量が低下する化合物、(b)活性化学線照射により酸を生じる化合物及び(c)一般式(1)【化1】(式中、R1、R2、R3及びR4は水素、炭素数1〜7のアルキル基またはアリール基で、少なくともR1、R2、R3及びR4の1つは水素であり、Y1は塩素、臭素、ヨウ素、水酸基、炭素数1〜7のカルボナート基または炭素数1〜7のスルホナート基を表す)で示されるイオン解離性の化合物又は、一般式(2)【化2】(式中R5、R6及びR7は水素、炭素数1〜7のアルキル基またはアリール基で、Y2は塩素、臭素、ヨウ素、水酸基、炭素数1〜7のカルボナート基または炭素数1〜7のスルホナート基を表す)で示されるイオン解離性の化合物又は、一般式(3)【化3】(式中、R8、R9、R10及びR11は水素、炭素数1〜7のアルキル基またはアリール基で、Y3は塩素、臭素、ヨウ素、水酸基、炭素数1〜7のカルボナート基または炭素数1〜7のスルホナート基を表す)で示されるイオン解離性の化合物を含有することを特徴とするポジ型化学増幅系感光性樹脂組成物。
IPC (3件):
G03F 7/004 501
, G03F 7/039 601
, H01L 21/027
FI (3件):
G03F 7/004 501
, G03F 7/039 601
, H01L 21/30 502 R
Fターム (15件):
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC05
, 2H025AC06
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE07
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB17
, 2H025CC20
, 2H025FA17
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