不揮発性半導体メモリ装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-243677
公開番号（公開出願番号）：特開平6-096592
出願日： 1992年09月11日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】フラッシュE2 PROMにおいて、消去動作に要する全時間中の書き込み時間を短縮し、消去の高速化を可能にする。【構成】フローティングゲート、コントロールゲート、ソース及びドレインを有する不揮発性のメモリセルの複数がアレイ状に配置されてメモリセルアレイを構成しており、選択した前記メモリセルに対する通常書き込み及び読み出しと、複数の前記メモリセルに対する一括消去を可能とした不揮発性半導体メモリ装置において、前記一括消去に先立って、複数の前記メモリセルのコントロールゲートに高電圧を印加して、前記各メモリセルにおいて、前記ソースと前記ドレイン間のチャネル領域からフローティングゲートに流れるトンネル電流により、一括書き込みを行わせる、一括書込電圧出力手段を有するものとして構成される。

請求項（抜粋）：

フローティングゲート、コントロールゲート、ソース及びドレインを有する不揮発性のメモリセルの複数がアレイ状に配置されてメモリセルアレイを構成しており、選択した前記メモリセルに対する通常書き込み及び読み出しと、複数の前記メモリセルに対する一括消去を可能とした不揮発性半導体メモリ装置において、前記一括消去に先立って、複数の前記メモリセルのコントロールゲートに高電圧を印加して、前記各メモリセルにおいて、前記ソースと前記ドレイン間のチャネル領域からフローティングゲートに流れるトンネル電流により、一括書き込みを行わせる、一括書込電圧出力手段を有することを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平1-273296
特開平3-203097
特開平4-026995

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