特許
J-GLOBAL ID：200903014885124980
気相成長装置の温度測定方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-191187
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037022
出願日： 1992年07月20日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：
【要約】【目的】反応ガスが水平に流れる反応容器内で、基板が水平に取り付けられて抵抗加熱ヒータとともに鉛直軸まわりに回転するサセプタの基板加熱面の温度分布を成膜時と同一条件で短時間に測定可能な温度測定方法を提供する。【構成】サセプタ11の基板加熱面から所定の間隔を保つように配された放射温度計14により、サセプタ11を回転させながら加熱面の温度を測定する方法とし、サセプタ11の加熱回数1回で基板加熱面全面の温度分布測定を可能にする。
請求項（抜粋）：
反応ガスが内部を水平に流れる反応容器と、被成膜基板が水平に取り付けられる構造のサセプタと、サセプタに取り付けられた被成膜基板を被成膜面と反対の側からサセプタを介して加熱する抵抗加熱ヒータとを備え、反応ガスを水平に流しかつサセプタを抵抗加熱ヒータとともに反応ガスの流れに垂直なサセプタ軸を中心に回転させつつ加熱することにより被成膜基板に薄膜を形成する気相成長装置において、サセプタの被成膜基板加熱面の温度分布を、該被成膜基板加熱面から所定の間隔をもつように配された放射温度計により、サセプタを回転させつつ測定することを特徴とする気相成長装置の温度測定方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C23C 16/52
, C30B 23/06
, H01L 21/66
