半導体装置及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中野雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-019518
公開番号（公開出願番号）：特開2002-222777
出願日： 2001年01月29日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：

【要約】【課題】チッピングを低減してチップサイズの縮小化を図る。【解決手段】複数の半導体素子12を形成された化合物半導体基板11において、半導体素子12の形成領域と形成領域との間の領域(ダイシング領域14)にイオン注入等によって結晶性の崩れた改質層17を形成する。ついで、この改質層17(ダイシング領域14)を通るようにして化合物半導体基板11をダイシングし、半導体素子12を個々に切り離す。

請求項（抜粋）：

複数の半導体素子を形成された半導体基板を半導体素子毎に切断して形成された半導体装置において、半導体素子を形成された領域の周囲で、半導体基板の結晶層が改質されていることを特徴とする半導体装置。

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