特許

J-GLOBAL ID：200903014892939752

ヒートシンク付回路基板

発明者： 長瀬 敏之 ,  長友 義幸
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-184272
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007895
出願日： 2001年06月19日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】 回路基板の熱サイクル寿命を延し、回路からヒートシンクへの熱伝導率を良好に保つ。【解決手段】 ヒートシンク11は、シンク本体12と、このシンク本体12の表面に形成された絶縁層13とを備え、この絶縁層13には回路14が積層接着される。上記シンク本体12は(2.0〜10.0)×10-6/°Cの熱膨張係数を有し、上記絶縁層13は無機物により形成され、更に上記回路14は99.5%以上の純度のAl合金により形成される。具体的には、シンク本体12はCu/Mo/Cuのクラッド材、Cu/CuO、AlSiC、AlC、CuSiC又はMoのいずれかにより形成され、絶縁層13はシンク本体12の表面に積層接着されたシリカコーティング層13aである。また回路14はシリカコーティング層13aにAl系のろう材層16により積層接着される。

請求項（抜粋）：

ヒートシンク(11)がシンク本体(12)とこのシンク本体(12)の表面に形成された絶縁層(13)とを備え、前記絶縁層(13)に回路(14)が積層接着されたヒートシンク付回路基板において、前記シンク本体(12)が(2.0〜10.0)×10-6/°Cの熱膨張係数を有し、前記絶縁層(13)が無機物により形成され、前記回路(14)が99.5%以上のAl純度を有するAl合金により形成されたことを特徴とするヒートシンク付回路基板。

IPC (7件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/14 ,  H01L 23/373 ,  H05K 1/02 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 3/20 ,  H05K 7/20

FI (7件)：

H05K 1/02 F ,  H05K 1/03 610 E ,  H05K 3/20 Z ,  H05K 7/20 C ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/14 M ,  H01L 23/36 M

Fターム (37件)：

5E322AA11 ,  5E322AB02 ,  5E322AB06 ,  5E322AB09 ,  5E322FA04 ,  5E338AA01 ,  5E338AA15 ,  5E338AA18 ,  5E338BB02 ,  5E338BB05 ,  5E338BB12 ,  5E338BB22 ,  5E338BB71 ,  5E338BB80 ,  5E338EE02 ,  5E343AA02 ,  5E343AA23 ,  5E343BB01 ,  5E343BB04 ,  5E343BB06 ,  5E343BB28 ,  5E343BB67 ,  5E343CC01 ,  5E343CC06 ,  5E343DD56 ,  5E343DD62 ,  5E343EE22 ,  5E343ER47 ,  5E343GG01 ,  5E343GG11 ,  5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB08 ,  5F036BC22 ,  5F036BD01 ,  5F036BD03 ,  5F036BD11

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-122550
  
• 回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-280998   出願人：電気化学工業株式会社