特許

J-GLOBAL ID：200903014894794620

半導体装置

発明者： 小林 宏也 ,  村松 雅治
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-022142
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231913
出願日： 2001年01月30日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】 ベベル部分でのエネルギー線の反射を防止して、半導体基板からの出力にゴーストが発生するのを抑制することが可能な半導体装置を提供すること。【解決手段】 遮蔽部材21は、CCDチップ4のベベル部分4cのエネルギー線入射方向前方を遮蔽するようにCCDチップ4に対して配設されている。この遮蔽部材21は、シリコン基板にて構成されており、エネルギー線を遮断する。遮蔽部材21には、薄型部分4aに対向する位置に、矩形形状の貫通孔21aがエッチング等により形成されている。貫通孔21aを形成する遮蔽部材21の縁部は、ベベル部分4cの薄型部分4a側の端部よりも薄型部分4a側に突出しており、貫通孔21aは、遮蔽部材21におけるベベル部分4cのエネルギー線入射方向前方に位置する部分よりも内側に形成されている。遮蔽部材21は、CCDチップ4とスペーサ5とが固定された状態で、凹部5aに保持される。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一方面側で前記半導体基板の一部が削られることにより、薄型化された薄型部分が前記半導体基板に設けられ、前記半導体基板の前記一方面側から前記エネルギー線が入射される半導体装置であって、前記薄型部分の外周において前記薄型部分に対して傾斜して形成されたベベル部分に対して、前記エネルギー線が入射するのを防ぐエネルギー線入射防止手段を有していることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/14 ,  H01L 23/28 ,  H04N 5/335

FI (4件)：

H01L 23/28 D ,  H01L 23/28 K ,  H04N 5/335 V ,  H01L 27/14 D

Fターム (27件)：

4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA02 ,  4M109CA06 ,  4M109DA07 ,  4M109DB07 ,  4M109DB10 ,  4M109DB17 ,  4M109EC12 ,  4M109EE12 ,  4M109EE13 ,  4M109GA01 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118EA01 ,  4M118GA02 ,  4M118GB01 ,  4M118HA02 ,  4M118HA20 ,  4M118HA24 ,  4M118HA30 ,  5C024CX11 ,  5C024CY49 ,  5C024EX22 ,  5C024EX25 ,  5C024GY01