多層配線基板、この基板を用いた半導体装置及び多層配線基板の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-083573
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097362
出願日： 1993年04月09日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】この発明は、マルチチップモジュールに使用される多層配線基板の形成プロセスを簡単化することを目的とする。【構成】電源用と接地用の面状導体パターン12、13が絶縁シートを介して交互に積層されてセラミックベース基板11が構成され、このセラミックベース基板11の中央部には内部の電源用と接地用の面状導体パターンと電気的に接続されたビア・ホールコンタクト15、16が規則的に交互に配置され、セラミックベース基板11の主面上には上記各ビア・ホールコンタクト15、16と選択的に接続された電源及び接地用の薄膜配線と信号用の薄膜配線とが形成された多層薄膜配線部22が設けられる。

請求項（抜粋）：

電源系の各電位をそれぞれ伝達する面状導体パターンが絶縁層を介して交互に積層されたベース基板と、上記ベース基板の電源系の各電位用の面状導体パターンのそれぞれと電気的に接続され、上記ベース基板の中央部に規則的に交互に配置されこのベース基板を貫通するように形成されたそれぞれ複数の電源系の各電位用ヴィア・ホールコンタクト部と、上記ベース基板の主面上に設けられ、上記各ヴィア・ホールコンタクト部に対して選択的に接続された電源系の各電位用の薄膜配線と信号用の薄膜配線とが形成された多層薄膜配線部とを具備したことを特徴とする多層配線基板。

IPC (3件)：

H01L 23/522 , H01L 23/12 , H05K 3/46

FI (2件)：

H01L 23/52 B , H01L 23/12 N

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-143587
特開平2-143587
特開平3-041757

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