半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-189774
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037392
出願日： 1992年07月17日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】メサを迂回して埋込み層を流れるリーク電流が小さな半導体レーザに関し,p型不純物の拡散による埋込み層の抵抗低下の防止を目的とする。【構成】 p型半導体層4を有して半導体基板1上に形成されたメサ7と,深いアクセプタ準位を形成する不純物が添加されたIII-V 半導体からなり,メサ7の側壁に表出するp型半導体層4の端面に接してメサ7を埋め込む高抵抗の埋込み層8とを有する半導体レーザにおいて,p型半導体層4は,該埋込み層8に添加されて深いアクセプタ準位を形成する該不純物が添加されてなるように構成する。

請求項（抜粋）：

p型半導体層(4)を有して半導体基板(1)上に形成されたメサ(7)と,深いアクセプタ準位を形成する不純物が添加されたIII-V 化合物半導体からなり,該メサ(7)の側壁に表出する該p型半導体層(4)の端面に接して該メサ(7)を埋め込む高抵抗の埋込み層(8)とを有し,該p型半導体層(4)は,該埋込み層(8)に添加されて深いアクセプタ準位を形成する該不純物元素が添加されてなることを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭62-086785
特開昭62-269387

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