特許

J-GLOBAL ID：200903014911048716

イオン注入方法

発明者： 廣瀬 文彦 ,  左右田 裕
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社 ,  株式会社三社電機製作所
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-037153
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246330
出願日： 2001年02月14日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【課題】 レジスト塗膜の下地表面の劣化を防止することができる低コストのイオン注入方法を提供する。【解決手段】 被処理基板上に、ドーピングさせたい領域以外の部分に保護膜を形成し、該基板にイオン化させたドーピング原子を照射して、保護膜のない基板の表層部分にドーピング原子をドープさせるイオン注入方法において、保護膜は耐熱性膜とフォトレジスト膜との二層構造とし、耐熱性膜3を基板2とフォトレジスト膜4との間に形成し、イオン注入後に前記耐熱性膜をフォトレジスト膜とともに基板上から除去する。

請求項（抜粋）：

被処理基板上に、ドーピングさせたい領域以外の部分に保護膜を形成し、該基板にイオン化させたドーピング原子を照射して、保護膜のない基板の表層部分にドーピング原子をドープさせるイオン注入方法において、前記保護膜は耐熱性膜とフォトレジスト膜との二層構造とし、前記耐熱性膜を基板とフォトレジスト膜との間に形成し、イオン注入後に前記耐熱性膜をフォトレジスト膜とともに基板上から除去することを特徴とするイオン注入方法。

IPC (5件)：

H01L 21/266 ,  C23C 14/04 ,  C23C 14/48 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316

FI (5件)：

C23C 14/04 A ,  C23C 14/48 Z ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/265 M

Fターム (13件)：

4K029AA06 ,  4K029BB03 ,  4K029BD01 ,  4K029CA10 ,  4K029HA05 ,  5F058AD05 ,  5F058AD08 ,  5F058AG03 ,  5F058AG06 ,  5F058BD01 ,  5F058BD07 ,  5F058BH11 ,  5F058BH15