特許
J-GLOBAL ID:200903014911190792

磁気抵抗型ヘッドの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松井 伸一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-293172
公開番号(公開出願番号):特開平11-120524
出願日: 1997年10月13日
公開日(公表日): 1999年04月30日
要約:
【要約】【課題】 バルクハウゼンノイズを抑制することのできる磁気抵抗型ヘッドの製造方法を提供すること【解決手段】 アルチック基板1の上面に、基板保護層2,下部シールド層3,下部ギャップ層4を形成する。下部ギャップ層の上面に軟磁性バイアス膜6を形成し、その上に窒化膜等の絶縁膜を用いて中間膜10を形成する。係る中間膜まで形成された基板1の表面に垂直な軸から所定角度傾けた軸上にターゲットを配置してスパッタを行い、磁気抵抗膜8を成膜する(斜め成膜)。そして、軟磁性バイアス層から磁気抵抗膜(磁気抵抗センサ部5)をパターニングし、所定パターンのハードバイアス層9を形成する。そして、磁気抵抗センサ部,ハードバイアス層の上面に上部ギャップ層,上部シールド層を形成し、さらに所定層を形成して、所定位置で切断することにより、磁気抵抗型ヘッドを製造する。
請求項(抜粋):
軟磁性バイアス膜(6),中間膜(10),磁気抵抗膜(8)をその順に積層して形成される磁気抵抗センサ部(5)を備えた磁気抵抗型ヘッドの製造方法であって、成膜対象面に所定角度傾斜方向から原子を入射させる斜め成膜によって、前記磁気抵抗膜が高異方性磁界となることを特徴とする磁気抵抗型ヘッドの製造方法。

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