特許
J-GLOBAL ID：200903014912371383
水素化アモルファスシリコン膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-205537
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053137
出願日： 1992年07月31日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：
【要約】【目的】 従来の反応性スパッター法によるアモルファス半導体の作成方法の長所を生かしながら欠点を除去し、良質のアモルファス半導体を低コストで安全に再現性良く堆積する方法を提供すること。【構成】 高周波スパッタリング法により基体上に水素化アモルファスシリコン膜を堆積する方法において、放電周波数を50MHz以上とし、SiまたはSi合金のターゲットを用い、ターゲット及び/または基体の少なくとも一方に直流または高周波のバイアス電圧を印加し、放電ガスとして0.1at%以上の制御された量の水素を含む不活性ガスを用いることを特徴とする水素化アモルファスシリコン膜の形成方法。
請求項（抜粋）：
高周波スパッタリング法により基体上に水素化アモルファスシリコン膜を堆積する方法において、放電周波数を50MHz以上とし、SiまたはSi合金のターゲットを用い、ターゲット及び/または基体の少なくとも一方に直流または高周波のバイアス電圧を印加し、放電ガスとして0.1at%以上の制御された量の水素を含む不活性ガスを用いることを特徴とする水素化アモルファスシリコン膜の形成方法。
IPC (2件)：
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