特許

J-GLOBAL ID：200903014914889444

フォトレジスト架橋剤、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ-ン形成方法、及び半導体素子

発明者： 鄭 載昌 ,  孔 根圭 ,  金 明洙 ,  金 亨基 ,  金 炯秀 ,  白 基鎬
出願人/特許権者： 現代電子産業株式会社
代理人 (1件)： 荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-338660
公開番号（公開出願番号）：特開2000-162772
出願日： 1999年11月29日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：

【要約】【課題】 従来より低い露光エネルギーでも優れた架橋能力を発揮するフォトレジスト架橋剤を提供する。【解決手段】 下記式(1)の化合物を含むことを特徴とするフォトレジスト架橋剤。【化1】前記式で、R1、R2及びRはそれぞれ、炭素数1〜10の主鎖又は側鎖置換されたアルキル、エステル、ケトン、カルボン酸、アセタール、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の側鎖又は主鎖置換されたアルキル、エステル、ケトン、カルボン酸、アセタールからなる群から選択されるものであり、R3は水素又はメチルであり、mは0又は1であり、nは1〜5の中から選択される整数である。

請求項（抜粋）：

下記式(1)の化合物を含むことを特徴とするフォトレジスト架橋剤。【化1】前記式で、R1、R2及びRはそれぞれ、炭素数1〜10の主鎖、又は側鎖置換されたアルキル、炭素数1〜10の側鎖、又は主鎖置換されたエステル、炭素数1〜10の主鎖、又は側鎖置換されたケトン、炭素数1〜10の側鎖、又は主鎖置換されたカルボン酸、炭素数1〜10の側鎖、又は主鎖置換されたアセタール、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の側鎖、又は主鎖置換されたアルキル、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の側鎖、又は主鎖置換されたエステル、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の側鎖、又は主鎖置換されたケトン、一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の側鎖、又は主鎖置換されたカルボン酸、及び一つ以上の水酸基(-OH)を含む炭素数1〜10の側鎖、又は主鎖置換されたアセタールからなる群から選択されたものであり、R3は水素又はメチルであり、mは0又は1であり、nは1〜5の中から選択される整数である。

IPC (8件)：

G03F 7/038 601 ,  C08F 20/28 ,  C08F 24/00 ,  C08F220/06 ,  C08F222/06 ,  C08F232/00 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503

FI (8件)：

G03F 7/038 601 ,  C08F 20/28 ,  C08F 24/00 ,  C08F220/06 ,  C08F222/06 ,  C08F232/00 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 A