特許
J-GLOBAL ID：200903014918819254
半導体プロセス用オンサイトアンモニア精製
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-536849
公開番号（公開出願番号）：特表2002-515179
出願日： 1996年06月05日
公開日（公表日）： 2002年05月21日
要約：
【要約】半導体製造で使用するための高a精製されたアンモニアを、液体アンモニア溜めからアンモニア蒸気を引出す、この蒸気を0.005ミクロンより小さい寸法の粒子を濾過して除去することが可能なフィルターへ通す、および濾過された蒸気を高pHの水を含むスクラバーの中でスクラビングすることによって、オンサイトで調製する。
請求項（抜粋）：
半導体デバイス製造設備において、半導体製造作業にアンモニアを含む超高純度の試薬を供給するオンサイトのサブシステムであって、 液体アンモニア源を受取りアンモニア蒸気の流れを供給するために接続された蒸発源を含み、 前記アンモニア蒸気の流れは、高濃度の水酸化アンモニウムを含み前記アンモニア蒸気の流れと接触しながら再循環するある量の高純度な水を供給するイオン精製器ユニットを通過するために接続され、 前記精製器から前記アンモニア蒸気の流れを受取り、このアンモニア蒸気を水性液と混ぜてアンモニアを含む超純度な水溶液を生成するために接続された生成器ユニットを含み、 前記水溶液を半導体デバイス製造設備内の使用箇所へと送る配管接続を含むことを特徴とするシステム。
IPC (5件)：
H01L 21/304 648
, B01D 3/00
, B01D 53/14
, B08B 3/08
, C01C 1/02
H01L 21/304 648 F
, B01D 3/00 A
, B01D 53/14 C
, B08B 3/08 Z
, C01C 1/02 E
