特許

J-GLOBAL ID：200903014928023989

フッ素含有シリコン酸化膜の製造方法

発明者： 寶地戸 雄幸 ,  門倉 秀公 ,  松本 政道 ,  松本 浩 ,  横山 英親
出願人/特許権者： 株式会社高純度化学研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-292199
公開番号（公開出願番号）：特開平10-102253
出願日： 1996年09月27日
公開日（公表日）： 1998年04月21日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の低誘電率層間絶縁膜として、フッ素含有シリコン酸化膜をCVD法で安定してつくる方法を提供することにある。【解決手段】 気相化学成長法により、基板の上にフッ素含有シリコン酸化膜を形成する方法において、Si(OR1)4[式中、R1は炭素原子数2〜3の直鎖または分岐を有するフルオロアルキル基を表す]で表されるテトラキス(フルオロアルコキシ)シラン化合物と酸化剤ガスを原料とするフッ素含有シリコン酸化膜を製造する方法。フルオロアルコキシとしては、具体的には1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロイソプロポキシや2,2,2-トリフルオロエトキシである。該化合物は、適度な蒸気圧をもち、安定でかつ腐食性、危険性の低い液体化合物で、安定して供給可能であるので、フッ素含有シリコン酸化膜を量産することができる。

請求項（抜粋）：

化学気相成長法により基板の上にフッ素含有シリコン酸化膜を形成する方法において、Si(OR1)4[式中、R1は炭素原子数2〜3の直鎖または分岐を有するフルオロアルキル基を表す]で表されるテトラキス(フルオロアルコキシ)シラン化合物と酸化剤ガスを原料とするフッ素含有シリコン酸化膜の製造方法。