特許

J-GLOBAL ID：200903014930980044

強磁性体磁気抵抗素子

発明者： 杉本 善保 ,  柴崎 一郎
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
代理人 (1件)： 谷 義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-298273
公開番号（公開出願番号）：特開平5-308162
出願日： 1985年12月04日
公開日（公表日）： 1993年11月19日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 オフセット電圧が小さく、感度が高く、信頼性にすぐれ、さらに量産性に富んだ強磁性体磁気抵抗素子を提供することを目的とする。【構成】 強磁性体磁気抵抗素子は、強磁性体薄膜から成る感磁部3A〜3Dを有し、感磁部に電流を供給するための引きまわし配線部10の厚さが感磁部の厚さよりも厚く、かつ引きまわし配線部が感磁部と同一組成の強磁性体材料で形成されており、引きまわし配線部上に配線部とは異なる金属導体材料を積層して端子電極4A〜4Dとしている。

請求項（抜粋）：

強磁性体薄膜から成る感磁部を有する強磁性体磁気抵抗素子において、前記感磁部に電流を供給するための引きまわし配線部の厚さが前記感磁部の厚さよりも厚く、かつ該引きまわし配線部が前記感磁部と同一組成の強磁性体材料で形成されており、該引きまわし配線部上に前記配線部とは異なる金属導体材料を積層し、端子電極としたことを特徴とする強磁性体磁気抵抗素子。

IPC (2件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/06

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭58-106462
  
• 特開昭55-050677