特許
J-GLOBAL ID：200903014933491400
化合物半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-133201
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326567
出願日： 1992年05月26日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】【目的】 タングステンを主体とする耐熱金属をゲート電極に用いる化合物半導体装置において、ショットキー逆方向特性を改善し、ドレイン耐圧を向上させた化合物半導体装置を提供する。【構成】 ゲート電極8と半導体基板1間に発生するショットキー障壁よりも金属・半導体間のショットキー障壁が高い金属部9をゲート電極8の両脇に形成し、ゲート電極8下の空乏層17の形状をドレイン電極12側に伸ばすことによってドレイン電極12側のゲート電極8端直下に高電界がかからないようにする。
請求項（抜粋）：
耐熱金属であるタングステンを主体とする金属をゲート電極に用いた化合物半導体装置であって、前記ゲート電極と半導体基板間に発生するショットキー障壁よりも金属・半導体間のショットキー障壁が高い金属部を前記ゲート電極の両脇に形成したことを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
