特許
J-GLOBAL ID:200903014933648652

原子層堆積法用薬剤及び原子層薄膜堆積法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 石田 敬 ,  鶴田 準一 ,  福本 積
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-261738
公開番号(公開出願番号):特開2009-079297
出願日: 2008年10月08日
公開日(公表日): 2009年04月16日
要約:
【課題】金属ケイ酸塩又は酸化物のCVD又はALDのための塩素を含まない前躯体を提供する。【解決手段】反応性金属アミド、アルキル又はアルコキシドと一緒にアルコキシシラノール又はアルキリホスフェートの蒸気を反応させ、加熱された基板上に金属ケイ酸塩又はリン酸塩を被着させる。例えば、トリス-(tert-ブトキシ)シラノールの蒸気がテトラキス(エチルメチルアミド)ハフニウムの蒸気と反応して、300°Cに加熱された表面上にケイ酸ハフニウムを被着させる。製品膜は、反応装置全体にわたり非常に均一な化学量論量を有する。同様にして、ジイソプロピルホスフェートの蒸気はリチウムビス(エチルジメチルシリル)アミドの蒸気と反応して、250°Cに加熱した基板上にリン酸リチウム膜を被着させる。交互のパルスの形で蒸気を供給することにより、非常に均一な厚み分布及び優れたステップカバレッジでこれらの同じ組成物が生産される。【選択図】なし
請求項(抜粋):
ケイ素、酸素及び1種以上の金属又はメタロイドを含む材料を形成するための方法であって、 アルコキシシラノール及びアルコキシシランジオールのうちの一方の蒸気を金属化合物及びメタロイド化合物のうちの1種以上のものの蒸気と一緒に反応させること、 を含む材料形成方法。
IPC (2件):
C23C 16/42 ,  H01L 21/316
FI (2件):
C23C16/42 ,  H01L21/316 X
Fターム (20件):
4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA10 ,  4K030AA11 ,  4K030AA18 ,  4K030BA01 ,  4K030BA02 ,  4K030BA10 ,  4K030BA17 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030BA44 ,  4K030BA48 ,  4K030BA51 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F058BC03 ,  5F058BF27
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 特許第156980号

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