レジストパターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-171350
公開番号（公開出願番号）：特開平11-283920
出願日： 1998年06月18日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】レジストパターンを高い精度で形成することが可能なレジストパターン形成方法を提供すること。【解決手段】本発明のレジストパターン形成方法は、パターン寸法若しくはパターン密度が異なる少なくとも2種のパターン群が形成されたフォトマスクを用いて、被加工基板5上のレジスト膜4に所望のパターンを形成するレジストパターン形成方法であって、前記パターン群をそれぞれ所望寸法に形成するために要する各露光量に応じて該パターン群に対応するレジスト膜厚をそれぞれ決定し、前記被加工基板5上の前記パターン群に対応する領域に該決定した膜厚で前記レジスト膜4を形成する工程と、次いでフォトマスクを用いて前記パターン群を前記被加工基板5上のレジスト膜4に露光する工程と、次いで前記レジスト膜4を現像する工程とを含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

パターン寸法若しくはパターン密度が異なる少なくとも2種のパターン群が形成されたフォトマスクを用いて、被加工基板上のレジスト膜に所望のパターンを形成するレジストパターン形成方法において、前記パターン群をそれぞれ所望寸法に形成するために要する各露光量に応じて該パターン群に対応するレジスト膜厚をそれぞれ決定し、前記被加工基板上の前記パターン群に対応する領域に該決定した膜厚でレジスト膜を形成する工程と、次いで前記フォトマスクを用いて前記パターン群を前記被加工基板上のレジスト膜に露光する工程と、次いで前記レジスト膜を現像する工程とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 7/16

FI (4件)：

H01L 21/30 564 Z , G03F 1/08 A , G03F 7/16 , H01L 21/30 528

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