特許

J-GLOBAL ID：200903014936423864

半導体メモリ

発明者： 杉林 直彦 ,  藤田 真盛 ,  成竹 功夫
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-263347
公開番号（公開出願番号）：特開平6-195966
出願日： 1992年10月01日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】 ダイナミックRAMにおいて、センスアンプ活性化時のピーク電流を抑えることにより、内部の電源ノイズを低下させ信頼性を向上させる。【構成】 ワード線をメインワード線とサブワード線の2つの階層で構成する。メインワード線は複数のサブアレイにまたがり、それぞれのサブアレイ毎にサブワード線が存在する。サブワード線はメインワード線とこれに直交してサブアレイ毎に配置されるサブワード選択線によって選択されるワードドライバによって駆動される。一部のサブアレイにのみを独立に選択する機能を設け、選択されたサブアレイに関わるワードドライバ、センスアンプ等のみが動作する。さらに、時系列的にサブアレイを連続して選択することによりリフレッシュを保証しながら、ピーク電流値を抑え、電源ノイズの低下を図る。

請求項（抜粋）：

複数のサブアレイに分割されたメモリセルアレイと、前記複数のサブアレイの内、一部のサブアレイを独立に選択する手段と、選択されたサブアレイに関わるセンスアンプのみを駆動する手段と、前記選択回路を、1つの動作サイクルにおいて、連続して時系列的に有効化する手段と、を備えることを特徴とする半導体メモリ。

IPC (2件)：

G11C 11/401 ,  G11C 8/00 312

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-267894
  
• 特開平1-300496
  
• 特開平2-040193