特許
J-GLOBAL ID:200903014936581060
ボンディングワイヤ、それを使用したボンディング方法及び半導体装置並びに接続部構造
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高田 幸彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-157015
公開番号(公開出願番号):特開2008-311383
出願日: 2007年06月14日
公開日(公表日): 2008年12月25日
要約:
【課題】使用時の大電流繰り返し通電によっても接続部に発生したクラックの進行を抑制して信頼性の高い接続部を実現するボンディングワイヤ及びボンディング方法を提供する。【解決手段】ボンディングワイヤは、線材がAl-0.1〜1wt%Xで、XがCu、Fe、Mn、Mg、Co、Li、Pd、Ag、Hfから選ばれた少なくとも一種類の金属であり、線の太さが断面を円形にしたときの直径が50〜500μmである点を特徴とする。このボンディングワイヤによってAlを主成分とする電極と接続したとき微細粒層とマトリックスとの界面にAlとXの金属間化合物が存在する接続部構造を得る。【選択図】図6
請求項(抜粋):
線材がAl-0.1〜1wt%Xで、XがCu、Fe、Mn、Mg、Co、Li、Pd、Ag、Hfから選ばれた少なくとも一種類の金属であり、線の太さが円形にしたときの直径が50〜500μmであることを特徴とするボンディングワイヤ。
IPC (1件):
FI (3件):
H01L21/60 301F
, H01L21/60 301D
, H01L21/60 301A
Fターム (3件):
5F044AA02
, 5F044CC02
, 5F044FF05
引用特許: