特許
J-GLOBAL ID:200903014938651813
偏波変調半導体レーザとその作製方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
加藤 一男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-020531
公開番号(公開出願番号):特開平9-191159
出願日: 1996年01月11日
公開日(公表日): 1997年07月22日
要約:
【要約】【課題】ホールバーニング効果による共振器内の屈折率の空間的変動を打ち消す構造を有し、井戸層の組み合わせの異なる活性層を有する偏波変調半導体レーザである。【解決手段】回折格子102を有する分布帰還型半導体レーザである。共振器方向に2つ以上の電極116、117を有し、電極に対応して共振器を構成する第1光導波路領域11と第2光導波路領域12に独立に電流注入可能である。複数の量子井戸からなる2つの光導波路領域の活性層130、131が、無歪みないし圧縮歪みの量子井戸と引っ張り歪みの量子井戸とをそれぞれ-つ以上有し、光導波路領域11、12の井戸の数の組み合せが両導波路領域で異なる。活性層130、131と半導体基体上の回折格子102との間に形成された光ガイド層120、121、122、123の膜厚が少なくとも中央部では薄く、共振器の両端部の少なくとも一方側では厚い。
請求項(抜粋):
半導体基体上に回折格子を有して単-軸モード発振をする半導体レーザにおいて、共振器方向に少なくとも2つ以上の電極を有し電極に対応して共振器を構成する第1の光導波路領域と第2の光導波路領域に独立に電流注入可能であって、複数の量子井戸からなる2つの光導波路領域の活性層が、無歪みないし圧縮歪みの量子井戸と引っ張り歪みの量子井戸とをそれぞれ-つ以上有しており、これらの井戸の最低準位間のバンドギャップが等しく、さらに上記光導波路領域の井戸の数の組み合せが第1の導波路領域と第2の導波路領域で異なっており、該活性層と半導体基体上に形成された回折格子との間に形成された光ガイド層の膜厚が少なくとも中央部では薄く、共振器の両端部の少なくとも一方側では厚くなっていることを特徴とする偏波変調半導体レーザ。
IPC (6件):
H01S 3/18
, G02B 5/18
, H01S 3/096
, H01S 3/103
, H04B 10/28
, H04B 10/02
FI (5件):
H01S 3/18
, G02B 5/18
, H01S 3/096
, H01S 3/103
, H04B 9/00 W
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