特許

J-GLOBAL ID：200903014940663004

研磨方法およびその装置

発明者： 大川 哲男 ,  藤沢 政泰
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋本 正実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-208754
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078299
出願日： 1994年09月01日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 クリーンルームを汚染することなく被加工物(ウエーハ)の研磨量を均一にすることができる研磨方法およびその装置の提供。【構成】 クリーンルーム2との気密性を保つ研磨装置1と、他のプロセス装置9と被加工物を受渡しする通路8,10と、研磨装置とクリーンルームの外部をつなぐ通路と、研磨定盤及び研磨布の修正装置11とを有する研磨装置とした。

請求項（抜粋）：

ウエーハ上に形成された層間絶縁膜等の研磨加工を行う研磨装置において、(i)気密性を保ってクリンルーム内に設置された研磨装置と、(ii)該研磨装置とクリンルーム内の他のプロセス装置との間を接続し該両者間に被加工物を受渡しするためのクリンルームと隔離された通路と、(iii)前記研磨装置とクリーンルーム外部とをつなぐクリンルームと隔離された通路と、(iv)前記研磨装置にクリーンルームの外部から気体、純水、研磨液を供給するクリンルームと隔離された供給経路と、(v)前記研磨装置より排ガス、廃液、加工屑をクリンルーム外部へ排出するクリンルームと隔離された排出経路とを備えたことを特徴とする研磨装置。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304