特許
J-GLOBAL ID：200903014948703676
MIS半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-001605
公開番号（公開出願番号）：特開2002-208701
出願日： 2001年01月09日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】IGBT等のMIS半導体装置のオン電圧/ターンオフ損失間のトレードオフ関係を改善する。【解決手段】低抵抗のn+半導体基板1上に堆積した第一エピタキシャル層に、n+コンタクト領域7、p+コンタクト領域8を形成する。第二エピタキシャル層にn+エミッタ領域14、pベース領域16、n-チャネル領域15を形成する。エミッタ領域14、ベース領域16の上にゲート絶縁膜を介してポリシリコン・ゲート電極18を形成、絶縁膜19,20で覆う。横方向(ELO)エピタキシャル成長によりチャネル領域15の表面からn-ドリフト層21を形成する。n-ドリフト層21の表面にn+バッファ層22とp+コレクタ層23を形成する。これにより、薄膜コレクタIGBTの強度を上げ加工を容易にする。また、双方向型IGBTの張り合わせ工程を回避し、機械的強度を保持しながら加工を容易にする。
請求項（抜粋）：
低抵抗半導体基板上に形成されたエピタキシャル層からなる第一導電型エミッタ領域、第二導電型ベース領域、第一導電型チャネル領域と、第二導電型ベース領域と接し低抵抗半導体基板と第一導電型チャネル領域とを離間する第二導電型コンタクト領域と、第一導電型エミッタ領域と第一導電型チャネル領域とに挟まれた第二導電型ベース領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、ゲート電極の側部と上面とを覆う絶縁膜と、第一導電型チャネル領域の表面からゲート電極側部の絶縁膜沿いにゲート電極の上方まで形成されたエピタキシャル層からなる第一導電型ドリフト層と、その第一導電型ドリフト層の上側に形成されたコレクタ電極と、第一導電型エミッタ領域に接続されるエミッタ電極とを有することを特徴とするMIS半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 655
, H01L 29/78 652
, H01L 21/336
H01L 29/78 655 C
, H01L 29/78 652 P
, H01L 29/78 658 E
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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