特許

J-GLOBAL ID：200903014950377727

イメージセンサ

発明者： 李 源 鎬
出願人/特許権者： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
代理人 (6件)： 三枝 英二 ,  舘 泰光 ,  眞下 晋一 ,  松本 公雄 ,  立花 顕治 ,  井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-088362
公開番号（公開出願番号）：特開2004-336017
出願日： 2004年03月25日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：

【課題】 電源電圧コンタクトから隣接する単位画素のフォトダイオードに電子が流入する接合リークを抑制することができるCMOSイメージセンサを提供すること。 【解決手段】 フォトダイオード31、フォトダイオード31に接続された第1拡散層33と電源電圧コンタクト37に接続された第2拡散層30aとの間にゲート34を有するリセットトランジスタ、第2拡散層30aと第3拡散層30bとの間にゲート35を有するドライブトランジスタ、及び第3拡散層30bと出力端コンタクト38に接続された第4拡散層30cとの間にゲート36を有するセレクトトランジスタを含んで構成された単位画素を有するCMOSイメージセンサに、第2拡散層30a1のドライブトランジスタ側の一部、第3拡散層30b、及び第4拡散層30cを包含する第1ウェル41と、第2拡散層30a1の電源電圧コンタクト37接続部分の周辺領域を包含する第2ウェル42とを装備する。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

フォトダイオード、該フォトダイオードに接続された第1拡散層と電源電圧コンタクトに接続された第2拡散層との間にゲートを有するリセットトランジスタ、前記第2拡散層と第3拡散層との間にゲートを有するドライブトランジスタ、及び前記第3拡散層と第4拡散層との間にゲートを有するセレクトトランジスタを含んで構成された単位画素を有するCMOSイメージセンサであって、 前記第2拡散層のドライブトランジスタ側の一部、前記第3拡散層、及び前記第4拡散層を包含する第1ウェルと、 前記第2拡散層の前記電源電圧コンタクト接続部分の周辺領域を包含する第2ウェルとを備えていることを特徴とするCMOSイメージセンサ。

IPC (1件)：

H01L27/146

FI (1件)：

H01L27/14 A

Fターム (11件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA09 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA34 ,  4M118FA42

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 固体撮像装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-070808   出願人：株式会社東芝