特許

J-GLOBAL ID：200903014953845730

半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置

発明者： 五十嵐 一雅
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-248522
公開番号（公開出願番号）：特開2001-072743
出願日： 1999年09月02日
公開日（公表日）： 2001年03月21日
要約：

【要約】【課題】半導体素子の高周波化が進む状況のなかで、高周波化に対応した比誘電率が低減され、かつ流動性にも優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。【解決手段】下記の(A)〜(D)成分を必須成分として含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。そして、上記(A)成分と(B)成分とが、上記(A)成分であるエポキシ樹脂のエポキシ当量Xと上記(B)成分であるフェノール樹脂の水酸基当量Yの合計値(X+Y)が350以上となるよう設定されている。(A)エポキシ樹脂。(B)フェノール樹脂。(C)硬化促進剤。(D)無機質充填剤。

請求項（抜粋）：

下記の(A)〜(D)成分を必須成分として含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、上記(A)成分と(B)成分とが、上記(A)成分であるエポキシ樹脂のエポキシ当量Xと上記(B)成分であるフェノール樹脂の水酸基当量Yの合計値(X+Y)が350以上となるよう設定されていることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。(A)エポキシ樹脂。(B)フェノール樹脂。(C)硬化促進剤。(D)無機質充填剤。

IPC (5件)：

C08G 59/62 ,  C08K 3/00 ,  C08L 63/00 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (4件)：

C08G 59/62 ,  C08K 3/00 ,  C08L 63/00 C ,  H01L 23/30 R

Fターム (44件)：

4J002CC03X ,  4J002CC05X ,  4J002CC06X ,  4J002CD00W ,  4J002CD05W ,  4J002CD06W ,  4J002DE137 ,  4J002DE237 ,  4J002DJ017 ,  4J002EN036 ,  4J002EU106 ,  4J002FA087 ,  4J002FD017 ,  4J002FD090 ,  4J002FD130 ,  4J002FD14X ,  4J002FD156 ,  4J002FD200 ,  4J002GJ02 ,  4J002GQ05 ,  4J036AD07 ,  4J036AE07 ,  4J036AF05 ,  4J036AF06 ,  4J036AF08 ,  4J036DC05 ,  4J036DC41 ,  4J036DD07 ,  4J036FA02 ,  4J036FA03 ,  4J036FA05 ,  4J036FA10 ,  4J036FB02 ,  4J036FB05 ,  4J036FB06 ,  4J036FB07 ,  4J036FB08 ,  4J036FB16 ,  4J036GA28 ,  4M109AA01 ,  4M109EA03 ,  4M109EB03 ,  4M109EB04 ,  4M109EB12