特許

J-GLOBAL ID：200903014954287234

半導体装置の製造方法

発明者： 堅田 富夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-160567
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013417
出願日： 1991年07月01日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】配線のエレクトロマイグレーション耐性およびストレスマイグレーション耐性の向上を図った半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】素子が形成されたシリコン基板11上に酸化膜12を形成し、裏面に非晶質のWSix膜13、表面にアルミニウム合金薄膜14を形成し、これをアルミニウム合金の再結晶化温度より高い温度で熱処理して、WSix膜13の体積収縮に起因する応力をアルミニウム合金薄膜14に与えて、アルミニウム合金薄膜14の結晶粒界の数を減らす。

請求項（抜粋）：

所望の素子が形成された半導体基板上に金属または合金からなる電極配線層を形成する工程と、前記電極配線層に応力を加えた状態で、前記金属または合金層の再結晶化温度以上の温度で熱処理を行なう工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301

FI (3件)：

H01L 21/88 S ,  H01L 21/88 N ,  H01L 21/88 Q