特許
J-GLOBAL ID：200903014954844761
高耐圧トランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-261716
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094734
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 特性、特に耐圧特性のばらつきが少ない高耐圧トランジスタを製造する。【構成】 ゲート電極17に側壁24を形成した後、ドレイン側から側壁24下へ向かう方向に斜めイオン注入を行って、高耐圧トランジスタのオフセット部としての拡散層21を形成する。このため、エッチバックで側壁24を形成する際の半導体基板11のオーバエッチング量にばらつきがあっても、拡散層21の不純物濃度プロファイルはオーバエッチング量のばらつきの影響を受けず、不純物濃度プロファイルのばらつきが少ない拡散層21を形成することができる。
請求項（抜粋）：
ゲート電極に側壁を形成した後に、ドレイン側から前記側壁下へ向かう方向に不純物を斜めイオン注入することによって、チャネル領域と前記ドレインとの間のオフセット部を形成することを特徴とする高耐圧トランジスタの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 21/8234
, H01L 27/088
H01L 29/78 301 P
, H01L 27/08 102 B
