特許

J-GLOBAL ID：200903014956929810

逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ及びその製造方法

発明者： 清水 喜輝 ,  菅原 良孝 ,  安田 保道 ,  中野 安紀
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-344469
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196705
出願日： 1992年12月24日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】 IGBTとダイオードとの一体化を計るとともに、IGBTに生じる電流集中をなくすようにした逆導通型IGBTを提供する。【構成】 基体1と、基体1の第1主表面に設けたベース層2と、その中に設けたソース層3と、基体1の第2主表面に設けたコレクタ層4と、相隣れるソース層3間に橋絡配置された絶縁ゲート電極5と、ソース層3及びベース層2に接触し、絶縁ゲート電極5の外側に設けたソース電極7と、コレクタ層4の表面に設けたコレクタ電極8からなるIGBT、及び、相隣れるベース層2間に設けたエミッタ層9と、コレクタ層4間に設けたコレクタ短絡層10と、エミッタ層4の表面に設けたソース電極7と、コレクタ短絡層10の表面に設けたコレクタ電極8からなるダイオードにより単位セルが構成され、単位セルが基体1内に順に配置形成される。

請求項（抜粋）：

一対の主表面を有し、低不純物濃度の第1導電型の基体と、前記基体の第1主表面に形成された第2導電型のベース層と、前記ベース層内に形成された第1導電型のソース層と、前記基体の第2主表面に形成された第2導電型のコレクタ層と、相隣れる2つのソース層間に橋絡配置され、周囲と絶縁された絶縁ゲート電極と、前記ソース層及びベース層に接触するとともに、前記絶縁ゲート電極の外側に配置形成されたソース電極と、前記コレクタ層の表面に形成されたコレクタ電極とからなる絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、及び、前記絶縁ゲート電極の非設置領域における相隣れる2つのベース層間に形成され、前記ベース層よりも薄い低不純物濃度の第2導電型のエミッタ層と、前記第2主表面における前記コレクタ層間に形成された第1導電型のコレクタ短絡層と、前記エミッタ層の表面に形成されたソース電極と、前記コレクタ短絡層の表面に形成されたコレクタ電極とからなるダイオードにより単位セルが構成され、前記単位セルが前記基体内に順に配置形成されていることを特徴とする逆導通型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ。