特許
J-GLOBAL ID：200903014961761375
トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-166504
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031465
出願日： 1999年06月14日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】 炭素ナノチューブを用いた接合型トランジスタを提供する。【解決手段】 トランジスタ20は、一束の(n、n)炭素ナノチューブ10から形成されるベース11と、前記ベース11の両側にそれぞれ接続され、(n、m、n-m≠3L)炭素ナノチューブ10からそれぞれ形成されるエミッタ15及びコレクタ13とを備える。炭素ナノチューブ10のトランジスタ20は、そのサイズが数nmに過ぎないので、素子のサイズを大幅に小型化させることができる。炭素ナノチューブ10の熱伝導度はシリコンよりも遥かに高いので、トランジスタ20の動作速度が向上する。
請求項（抜粋）：
一束の(n、n)炭素ナノチューブから形成されるベースと、前記ベースの両側にそれぞれ接続され、(n、m、n-m≠3L)炭素ナノチューブからそれぞれ形成されるエミッタ及びコレクタと、を備えることを特徴とするトランジスタ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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