特許

J-GLOBAL ID：200903014964424078

単結晶の成長方法及びその装置

発明者： 橋尾 克司 ,  澤田 真一 ,  龍見 雅美
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-045852
公開番号（公開出願番号）：特開平8-310893
出願日： 1996年03月04日
公開日（公表日）： 1996年11月26日
要約：

【要約】【課題】 固液界面の局所加熱によらずに、成長結晶の周辺部の凹化を抑制して多結晶化を防止し、直径の大きなるつぼを使用しても直径の制御性が優れ、結晶欠陥の少ない単結晶の成長方法及びその装置を提供しようとするものである。【解決手段】 チョクラルスキー法又は液体封止チョクラルスキー法で単結晶を成長する方法において、成長結晶の周囲に配置する円筒体の先端を原料融液中に浸漬し、るつぼ、成長結晶、円筒体のいずれかの回転数を調節して固液界面形状の凹化を防止しながら結晶を引き上げる方法である。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法で原料融液から結晶を引き上げる単結晶の成長方法において、成長結晶の直胴部の目標直径より大きな内径を有する円筒体の先端を原料融液中に浸漬し、原料融液を収容するるつぼ、成長結晶及び前記円筒体のいずれか1つ以上の回転数を調節することにより、固液界面形状の凹化を防止しながら結晶を引き上げることを特徴とする単結晶の成長方法。

IPC (5件)：

C30B 15/22 ,  C30B 27/02 ,  C30B 29/40 501 ,  C30B 29/42 ,  H01L 21/208

FI (5件)：

C30B 15/22 ,  C30B 27/02 ,  C30B 29/40 501 A ,  C30B 29/42 ,  H01L 21/208 P

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開昭63-310789
  

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-310789
  
• 特開昭63-310789