特許

J-GLOBAL ID：200903014971210857

III-V族化合物半導体単結晶の製造方法

発明者： 吉岡 敦 ,  佐藤 貴幸
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-332180
公開番号（公開出願番号）：特開2001-151600
出願日： 1999年11月24日
公開日（公表日）： 2001年06月05日
要約：

【要約】【課題】チョクラルスキー法による単結晶成長で、インゴットの成長方向のキャリア濃度分布を安定化させ、キャリア濃度の制御がなされたIII-V族化合物半導体単結晶および製造方法を提供する。【解決手段】液体封止剤の酸化ボロンに、シリコン、シリコン酸化物またはケイ酸化物の何れか1種以上を、酸化ボロン中のシリコン原子濃度で0.5〜5重量%となるように添加する。

請求項（抜粋）：

液体封止剤として酸化ボロン(以下B2O3と略す)を用いたチョクラルスキー法単結晶育成において、B2O3がシリコン、シリコン酸化物またはケイ酸化物の何れか1種以上を含むことを特徴とするIII-V族化合物半導体単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/44 ,  C30B 27/02 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 29/44 ,  C30B 27/02 ,  H01L 21/208 P

Fターム (21件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BE43 ,  4G077CF10 ,  4G077EC10 ,  4G077EJ08 ,  4G077PA14 ,  4G077PB01 ,  4G077PB05 ,  4G077PB09 ,  5F053AA12 ,  5F053BB04 ,  5F053BB24 ,  5F053BB35 ,  5F053DD07 ,  5F053GG01 ,  5F053KK01 ,  5F053LL02 ,  5F053LL04 ,  5F053RR04 ,  5F053RR20