半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-269827
公開番号（公開出願番号）：特開2003-051501
出願日： 2001年09月06日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
要約：

【要約】【課題】複雑な工程を追加することなく、金属配線とともにMIM型キャパシタを形成することが可能な、半導体装置及びその製造方法を得る。【解決手段】絶縁膜I2内には、デュアルダマシンプロセスによって形成された第2層配線W2が形成されている。絶縁膜I2の上面内には、MIM型キャパシタの第1電極として機能する金属膜9が形成されている。絶縁膜I3は、絶縁膜14〜17がこの順に第2配線層L2の上面上に積層された構造を有している。絶縁膜15内には、MIM型キャパシタの第2電極が形成されている。該第2電極は、絶縁膜14上に形成された金属膜11と、金属膜11上に形成された金属膜10とを有している。MIM型キャパシタの第1電極と第2電極とによって挟まれる部分の絶縁膜14が、MIM型キャパシタのキャパシタ誘電体膜として機能する。絶縁膜I3内には、第3層配線W3が形成されている。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成された半導体素子と、前記半導体素子を覆って前記基板上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜内に形成され、前記半導体素子に電気的に接続されたMIM(Metal Insulator Metal)型キャパシタとを備える半導体装置であって、前記キャパシタは、前記層間絶縁膜内に規定される凹部の側面及び底面上に形成され、第1電極として機能する第1の金属膜と、前記第1の金属膜上に形成された誘電体膜と、前記凹部内を充填し、前記誘電体膜を挟んで前記第1の金属膜に対向し、第2電極として機能する第2の金属膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/822 , H01L 27/04

FI (2件)：

H01L 21/88 S , H01L 27/04 C

Fターム (43件)：

5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP15 , 5F033PP26 , 5F033QQ09 , 5F033QQ16 , 5F033QQ25 , 5F033QQ31 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR03 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS11 , 5F033TT02 , 5F033VV10 , 5F033XX33 , 5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AV06 , 5F038CD09 , 5F038CD18 , 5F038CD20 , 5F038EZ15 , 5F038EZ20

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