特許

J-GLOBAL ID：200903014974462474

一体化された光学的にポンピングされる垂直キャビティ表面発光レーザ用の方法および装置

発明者： ジラン,ウェンビン ,  リー,シン-チュン ,  チェン,ヨン
出願人/特許権者： イー20・コミュニケーションズ・インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-535269
公開番号（公開出願番号）：特表2003-513477
出願日： 2000年05月23日
公開日（公表日）： 2003年04月08日
要約：

【要約】一体化された光学的にポンピングされる垂直キャビティ表面発光レーザ(VCSEL)(200)は、電気的にポンピングされるインプレーン半導体レーザおよび垂直キャビティ表面発光レーザ(250)を、インプレーン半導体レーザと共に形成されたビーム・ステアリング素子(212)と一体化することによって形成される。インプレーン半導体レーザは、端面発光レーザ(240)、インプレーン表面発光レーザ、または折返しキャビティ表面発光レーザを含むいくつかの異なる種類のインプレーン半導体レーザであってよい。インプレーン半導体レーザは、VCSELを光学的にポンピングしてレーザ発光させる。インプレーン半導体レーザは、比較的短い波長の光子を放出するように構成され、それに対してVCSELは比較的長い波長の光子を放出するように構成される。インプレーン半導体レーザおよびVCSELは、原子結合、ウェーハ・ボンディング、メタル・ボンディング、エポキシ接着剤、または他の公知の半導体結合技術を含むいくつかの方法で結合することができる。ビーム・ステアリング素子(212)は、光学格子であっても鏡付き表面であってもよい。

請求項（抜粋）：

一体化された光学的にポンピングされる垂直キャビティ表面発光レーザであって、 比較的短い波長の光子を生成するように電気的にポンピングされる、比較的短い波長の光子を放射するインプレーン半導体レーザと、 インプレーン半導体レーザに結合されており、インプレーン半導体レーザから入射角で放射された比較的短い波長の光子を屈折角に向けるビーム・ステアリング素子と、 インプレーン半導体レーザに結合されており、インプレーン半導体レーザから放射されビーム・ステアリング素子によって向きを定められた比較的短い波長の光子を受け取り、光学的にポンピングされ、表面から長い波長の光子を放射する垂直キャビティ表面発光レーザとを備える一体化された光学的にポンピングされる垂直キャビティ表面発光レーザ。

Fターム (22件)：

5F073AA09 ,  5F073AA11 ,  5F073AA65 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073AA85 ,  5F073AB05 ,  5F073AB17 ,  5F073AB18 ,  5F073AB19 ,  5F073AB20 ,  5F073AB21 ,  5F073BA02 ,  5F073CA04 ,  5F073CA05 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073DA35 ,  5F073EA24 ,  5F073EA29 ,  5F073GA36