特許

J-GLOBAL ID：200903014974771027

不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

発明者： 志波 和佳
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-262739
公開番号（公開出願番号）：特開平9-107086
出願日： 1995年10月11日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：

【要約】【課題】 フローティングゲート電極を有する不揮発性半導体記憶装置のフローティングゲート電極とコントロールゲート電極との間のゲート間層間膜を薄くすることによって、特性を改善する。ゲート間層間膜と読み出し回路用MISFETのゲート絶縁膜を夫々最適の厚さに同一の工程にて形成する。【解決手段】 ゲート間層間膜を三層のONO膜とし、下地による酸化珪素膜の成長の差を利用して、ゲート間層間膜と周辺回路用MISFETのゲート絶縁膜を夫々膜厚を変えて最適の厚さに同一の工程にて形成する。【効果】 ゲート間層間膜を薄くすることができるので、半導体記憶装置の特性が向上する。メモリセルMCのサイズを縮小することが可能となる。

請求項（抜粋）：

フローティングゲート電極に電子を保持することによって情報を記憶するメモリセルと周辺回路用MISFETとを有する不揮発性半導体記憶装置において、メモリセルのフローティングゲート電極とコントロールゲート電極との間のゲート間層間膜を酸化珪素膜、窒化珪素膜及び酸化珪素膜を順次積層した積層膜とし、上層の酸化珪素膜を実質的にCVDによって形成された酸化珪素膜とし、周辺回路用MISFETのゲート絶縁膜をCVD及び熱酸化又は熱酸化及びCVDによって形成して前記上層の酸化珪素膜とは膜厚を変えた酸化珪素膜としたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (6件)：

H01L 27/115 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 21/316 S ,  H01L 21/318 C ,  H01L 29/78 371