特許

J-GLOBAL ID：200903014976257134

MRAMメモリ装置およびこのようなメモリ装置におけるデジタル情報の読取/書込方法

発明者： ブルカルト・ヒレブランズ ,  ロバート・レオン・スタンプス
出願人/特許権者： ブルカルト・ヒレブランズ
代理人 (1件)： 渡邊 隆 (外7名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-551392
公開番号（公開出願番号）：特表2002-517083
出願日： 1999年05月27日
公開日（公表日）： 2002年06月11日
要約：

【要約】読取/書込操作のためのデジタル磁気メモリユニット装置であって、該装置は第1および第2磁性層を有し、デジタル情報を記憶するための該層の磁化は互いに平行または逆平行に向けられ、前記磁性層の少なくとも1つは磁気異方性を有し、該装置は第1および第2磁性層の間に中間層および読取/書込電流を通すために少なくとも2つの互いに交差する配線と、前記磁性層の少なくとも1つの磁化を平行な方向から逆平行な方向にまたはその逆に切り替える手段とを有する。前記切り替え手段は少なくとも2つの互いに交差する配線の第1および第2配線を通る電流及び/又は電流パルスを作り出すための装置を有している。前記配線は所定の角度βをなして交差し、その結果前記メモリユニット装置の交差領域において、パルス持続が10ns以下の電流パルスによって、磁化を平行な方向から逆平行な方向にまたはその逆に、完全かつ確実に切り替えることができる。

請求項（抜粋）：

読取/書込操作のためのデジタル磁気メモリユニット装置であって、 該装置は第1および第2磁性層(3,5)を有し、デジタル情報を記憶するための該層の磁化は互いに平行または逆平行に向けられ、前記磁性層の少なくとも1つは磁気異方性を有し、 前記装置は、第1および第2磁性層の間に中間層(7)および読取/書込電流を通すために少なくとも2つの互いに交差する配線(9,11)と、 前記磁性層の少なくとも1つの磁化を平行な方向から逆平行な方向にまたはその逆に切り替える手段とを有し、 前記切り替え手段は少なくとも2つの互いに交差する配線の第1および第2配線を通る電流及び/又は電流パルスを作り出すための装置(20,22)を有してなるデジタルメモリユニット装置において、 前記配線は所定の角度βをなして交差し、その結果前記メモリユニット装置の交差領域において、パルス持続が10ns以下の電流パルスによって、磁化を平行な方向から逆平行な方向にまたはその逆に、完全かつ確実に切り替えることを特徴とするデジタルメモリユニット装置。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (3件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA11