半導体光装置及び透明光学部材

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：西川惠清 , 森厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-319018
公開番号（公開出願番号）：特開2007-251121
出願日： 2006年11月27日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：

【課題】半導体発光素子または半導体受光素子を封止材で封止した半導体光装置において、封止材が劣化し難く且つ吸水率が低い半導体光装置を提供する。【解決手段】(AR1R2SiOSiO1.5)n(R3R4HSiOSiO1.5)p(BR5R6SiOSiO1.5)q(HOSiO1.5)m-n-p-q(Aは炭素-炭素不飽和結合を有する基、Bは置換又は非置換の飽和アルキル基もしくは水酸基、R1,R2,R3,R4,R5,R6は各々独立に低級アルキル基、フェニル基、低級アリールアルキル基から選ばれた官能基、mは6,8,10,12から選ばれた数、nは1〜m-1の整数、pは1〜m-nの整数,qは0〜m-n-pの整数) 上記の式で表されるかご型シルセスキオキサン化合物、又はこの化合物が部分付加反応したかご型シルセスキオキサン化合物部分重合物を含有するケイ素化合物で、半導体発光素子又は半導体受光素子を封止する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下記式(1)で表されるかご型シルセスキオキサン化合物、又はこの化合物が部分付加反応したかご型シルセスキオキサン化合物部分重合物を含有するケイ素化合物で、半導体発光素子又は半導体受光素子を封止して成ることを特徴とする半導体光装置。 (AR1R2SiOSiO1.5)n(R3R4HSiOSiO1.5)p(BR5R6SiOSiO1.5)q(HOSiO1.5)m-n-p-q ...(1) (式(1)中、Aは炭素-炭素不飽和結合を有する基、Bは置換又は非置換の飽和アルキル基もしくは水酸基、R1,R2,R3,R4,R5,R6は各々独立に低級アルキル基、フェニル基、低級アリールアルキル基から選ばれた官能基を表し、mは6,8,10,12から選ばれた数、nは1〜m-1の整数、pは1〜m-nの整数,qは0〜m-n-pの整数を表す)

IPC (3件)：

H01L 33/00 , C08G 77/20 , C08G 77/48

FI (3件)：

H01L33/00 N , C08G77/20 , C08G77/48

Fターム (34件)：

4J246AA03 , 4J246AA11 , 4J246AB06 , 4J246AB07 , 4J246BA11X , 4J246BA110 , 4J246BA12X , 4J246BA120 , 4J246BB14X , 4J246BB140 , 4J246BB143 , 4J246CA01U , 4J246CA01X , 4J246CA010 , 4J246CA15E , 4J246CA15U , 4J246CA15X , 4J246CA150 , 4J246CA24X , 4J246CA240 , 4J246CA34X , 4J246CA340 , 4J246CA53X , 4J246CA530 , 4J246FA221 , 4J246FC161 , 4J246GC12 , 4J246GC22 , 4J246HA29 , 5F041AA44 , 5F041DA12 , 5F041DA20 , 5F041DA45 , 5F041DB09

引用特許：

出願人引用 (1件)

特許第3412152号公報

審査官引用 (3件)

光素子用封止材
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-056772 出願人：ナガセケムテックス株式会社
封止材用組成物及び光学デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-124954 出願人：旭化成株式会社
光素子封止用樹脂組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-219518 出願人：ナガセケムテックス株式会社

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