特許

J-GLOBAL ID：200903014981558312

熱電変換素子の製造方法

発明者： 有 田 一 郎 ,  山 崎 誠 ,  蜂須賀 譲 二 ,  堀 野 勝 吉
出願人/特許権者： アイシン精機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-211109
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056211
出願日： 1996年08月09日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】 熱電変換素子の製造方法において、製造歩留りを向上させること。【解決手段】 熱電半導体7を充填槽8に投入し、充填槽8内に充填剤9を充填し、充填剤9を固化して固形混合物10を作製し、固形混合物10を板状に切断して複数の板状体11を作製し、板状体11にメッキ処理を施し、メッキ処理が施された板状体11を充填剤除去液13に浸して充填剤9を溶出させて熱電半導体素子14を製造する。

請求項（抜粋）：

熱電半導体を充填槽に投入し、前記充填槽内に充填剤を充填する充填工程と、前記充填剤を固化して固形混合体とする固化工程と、前記固形混合体を板状に切断して複数の板状体を成形する切断工程と、前記板状体にメッキ処理を施すメッキ工程と、メッキ処理が施された前記板状体を充填剤除去液に浸して充填剤を溶出させる充填剤溶出工程と、を備えることを特徴とする熱電変換素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 35/34 ,  H01L 35/08 ,  H01L 35/16

FI (3件)：

H01L 35/34 ,  H01L 35/08 ,  H01L 35/16

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平2-030190