分布帰還型半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-288094
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121861
出願日： 1997年10月21日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】分布帰還型半導体レーザに関し、単一構造の電極のままで高い周波数変調効率を実現する。【解決手段】半導体基板1側に設ける電極5及び成長層4側に設ける電極6の内の一方の電極5(6)をレーザ共振器の両端面間に渡って延在する電極とし、他方の電極6(5)を一方の端面側で欠落した電極とし、他方の電極6(5)の欠落部を低注入領域8とし、その他の領域を均一電流注入領域7とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板側に設ける電極及び成長層側に設ける電極の内の一方の電極を、レーザ共振器の両端面間に渡って延在する電極とし、他方の電極を一方の端面側で欠落した電極とし、前記他方の電極の欠落部を低注入領域とし、その他の領域を均一電流注入領域としたことを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。

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