特許

J-GLOBAL ID：200903014987376933

結晶薄膜の作製法

発明者： 渡部 行男
出願人/特許権者： 三菱化成株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-066786
公開番号（公開出願番号）：特開平6-279180
出願日： 1993年03月25日
公開日（公表日）： 1994年10月04日
要約：

【要約】【構成】二種以上の金属元素を含む化合物の結晶薄膜を基板上に作製するに際し、該化合物を構成する少なくとも1種以上の金属元素を含みかつ互いに異なる組成の複数のターゲットに一定の周期で電磁波ビームを逐次照射して、基板上に該化合物とほぼ同じ金属組成になるような原子または分子を供給する際に、1供給周期中の蒸着される原子または分子の基板上に付着した平均モル数が該化合物結晶薄膜の単位格子1層分のモル数未満になるようにすることを特徴とする結晶薄膜の作製法。【効果】 目的とする薄膜組成にとらわれずに、広い材料範囲からターゲット材料を選択できるようにし、ターゲット組成が変動しにくいターゲットや緻密なターゲットを作製し易いターゲット材料を選択しやすく、広いパラメーター範囲での組成制御、粒発生の抑制を可能にする。

請求項（抜粋）：

二種以上の金属元素を含む化合物の結晶薄膜を基板上に作製する結晶薄膜の作製法において、該化合物を構成する少なくとも1種以上の金属元素を含み且つ互いに組成が異なる複数のターゲットに一定の周期で電磁波ビームを逐次照射して、基板上に該化合物とほぼ同じ金属組成になるように原子又は分子を供給して薄膜を作製する際に、1供給周期中の蒸着される原子又は分子の基板上に付着した平均モル数が該化合物結晶薄膜の単位格子1層分のモル数未満になるようにすることを特徴とする結晶薄膜の作製法。

IPC (6件)：

C30B 23/08 ,  C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA ,  C23C 14/28 ,  C30B 23/06 ,  H01B 12/06 ZAA