特許

J-GLOBAL ID：200903014991873224

磁気記録媒体およびその製造方法

発明者： 山口 希世登 ,  間宮 由紀子 ,  植田 厚 ,  上住 洋之
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山田 稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-007472
公開番号（公開出願番号）：特開平6-215345
出願日： 1993年01月20日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：

【要約】【目的】 コンピュータの外部記憶装置などに用いられる磁気記録媒体において、磁気記録媒体表面の平滑性を保持しながら、保磁力Hc等の磁気特性を向上させ、高密度記録が可能な磁気記録媒体を実現すること。【構成】 非磁性のガラス基板1と非磁性金属下地層2との間に、非磁性の金属バッファ層6を設け、この金属バッファ層6および金属下地層2それぞれのX線回折ピークの半値幅d1 /d2 を所定の値に制御することにより、大幅な保磁力Hcの増加を図ることができる。また、金属バッファ層6の膜厚δおよび金属バッファ層6形成時の基体温度Tを制御することにより、角形比S,保磁力角形比S* ,保磁力差ΔHcおよび保磁力角形比差ΔS* の各特性の向上が図れる。

請求項（抜粋）：

非磁性基体の表面側に、Crからなる非磁性の金属バッファ層と、この金属バッファ層上に形成されたCrからなる非磁性の金属下地層と、この金属下地層上に形成された強磁性合金の薄膜磁性層と、この薄膜磁性層の表面側に形成された保護層と、を少なくとも有する磁気記録媒体であって、前記金属バッファ層の(110)面におけるX線回折ピークの半値幅をd1 、前記金属下地層の(110)面におけるX線回折ピークの半値幅をd2 とした場合に、d1 /d2 が1.2以上であることを特徴とする磁気記録媒体。